'技术半导体器件技术+电力半导体器件原理与应用(配光盘)一.本套技术资料共三张光盘。包含一张pdf图书光盘（里面有我们独家聘请的相关领域内的技术权威和技术专家专业编写的8-12本相关技术书籍）及二张配套生产技术工艺光盘。联系电话:15095686581。
二.图书概要及部分目录（因篇幅所限此处只列举一本的概要）：
序言
前言
第1章 绪论
1.1 电力半导体器件的基本功能和用途
1.2 电力半导体器件的基本分类和应用
1.2.1 按照电力半导体器件控制特性分类
1.2.2 按照电力半导体器件发展分类
1.2.3 按照电力半导体器件驱动方式分类
1.2.4 按照电力半导体器件中载流子性质分类
1.3 di/dt和du/dt在电力半导体器件中的特殊意义
1.4 电力半导体器件的发展
参考文献
第2章 半导体器件的物理基础
2.1 半导体与导体、绝缘体
2.2 原子中的电子能级
2.2.1 孤立原子中的电子能级
2.2.2 两个原子之间的共价键
2.3 晶体中的能带
2.3.1 晶体中的能级——能带
2.3.2 晶体中的禁带宽度
2.3.3 半导体的晶体结构
2.4 本征半导体与杂质半导体
2.4.1 电子与空穴
2.4.2 费米?狄拉克分布
2.4.3 从本征半导体到杂质半导体
2.4.4 杂质半导体的关键参数
2.5 半导体中的载流子运动
2.5.1 电离与复合
2.5.2 布朗运动
2.5.3 漂移运动
2.5.4 扩散运动
参考文献
第3章 双极型电力半导体器件基本原理
3.1 单pn结器件运行原理
3.1.1 pn结的基本结构
3.1.2 平衡条件下的pn结
3.1.3 偏置条件下的pn结
3.2 pn结的运行特性
3.2.1 pn结的击穿与穿通
3.2.2 pn结的电容效应
3.2.3 pn结器件的电路特性
3.3 pin器件运行原理
3.3.1 pin二极管基本结构和正偏置下的行为
3.3.2 pin二极管的恢复特性
3.4 三层两结器件运行原理
3.4.1 双极晶体管的基本结构
3.4.2 双极晶体管中pn结的相互作用
3.5 四层三结器件运行原理
3.5.1 晶闸管的基本结构
3.5.2 晶闸管的基本工作原理
3.5.3 gto的基本结构和基本工作原理
参考文献
第4章 单极型及混合型电力半导体器件基本原理
4.1 肖特基势垒器件
4.1.1 肖特基势垒
4.1.2 肖特基二极管的基本结构
4.1.3 肖特基二极管的基本工作原理
4.2 结型场效应器件和静电感应器件
4.2.1 结型场效应晶体管的基本结构
4.2.2 结型场效应晶体管的基本工作原理
4.2.3 静电感应晶体管的基本结构和工作原理
4.2.4 静电感应晶闸管的基本结构和工作原理
4.3 功率mosfet
4.3.1 mos结构
4.3.2 mosfet的基本结构
4.3.3 mosfet的基本工作原理
4.3.4 功率mosfet
4.4 混合型器件igbt
4.4.1 igbt的基本结构
4.4.2 igbt的基本开关原理
4.4.3 igbt结构的一些演变
4.5 混合型器件igct
4.5.1 igct的基本结构
4.5.2 igct的工作原理
参考文献
第5章 电力半导体器件的特性和参数
5.1 双稳态和双瞬态的基本工作状态
5.1.1 特性与参数关系
5.1.2 双稳态与双瞬态
5.1.3 额定值与特征值
5.2 通态特性及其参数
5.2.1 单极型器件的通态特性与参数
5.2.2 双极型和混合型器件的通态特性与参数
5.2.3 通态中的电阻及并联特性
5.3 阻态特性及其参数
5.3.1 器件的阻态特性及其参数
5.3.2 阴极(阳极)短路发射极结构
5.3.3 穿通与击穿
5.4 开通过程及参数
5.4.1 器件开通的物理过程
5.4.2 典型器件的开通过程
5.4.3 放大门极结构(ag)
5.5 关断过程及其参数
5.5.1 器件关断的物理过程
5.5.2 典型器件的关断特性
5.5.3 反向恢复特性
5.6 触发的类型和特性
5.6.1 触发过程的物理现象及参数
5.6.2 典型器件的触发特性及其参数
5.7 器件特性及系统安全工作区
5.7.1 电力半导体器件特性对比
5.7.2 变换器系统安全工作区
参考文献
第6章 电力半导体器件应用特性分析
6.1 电力半导体器件的串、并联使用
6.1.1 电力半导体器件的并联使用
6.1.2 电力半导体器件的串联使用
6.2 电力半导体器件可靠性和失效分析
6.2.1 电力半导体器件可靠性概述
6.2.2 电力半导体器件失效分析
6.2.3 igbt的失效分析
6.2.4 igct的失效分析
6.3 电力半导体器件的保护
6.3.1 电力半导体器件保护简述
6.3.2 igbt的保护
6.3.3 igct的保护
参考文献
第7章 变换器中电力半导体器件应用特性分析
7.1 电力电子变换器的基本换流行为
7.1.1 变换器的常用拓扑结构
7.1.2 理想基本拓扑单元及换流行为
7.1.3 基于电力半导体特性的变换器换流行为
7.2 吸收电路关键参数设计及优化
7.2.1 线性吸收电路的假设和定义
7.2.2 线性吸收电路的参数优化和分析
7.2.3 igbt吸收电路
7.2.4 igct吸收电路
7.3 电力半导体器件特性的相互影响范例分析
7.3.1 基于igct的三电平逆变器基本换流方式
7.3.2 三电平逆变器中器件稳态特性相互影响
7.3.3 三电平逆变器中器件暂态特性相互影响
参考文献
第8章 适用于变换器仿真的电力半导体器件建模
8.1 变换器仿真中的电力半导体器件建模
8.1.1 对变换器仿真的基本理解
8.1.2 变换器中器件建模分类
8.1.3 半导体器件的基本物理现象
8.1.4 半导体器件的基本仿真方法
8.2 适用于变换器仿真的igbt模型
8.2.1 igbt工作机理数学描述
8.2.2 igbt模型的参数提取和模型实现
8.2.3 实验和仿真
8.2.4 igbt模型的应用
8.3 适用于变换器仿真的igct模型
8.3.1 igct功能型模型简述
8.3.2 igct模型结构和参数求解
8.3.3 igct仿真与实验对比
8.3.4 igct模型的应用
8.4 变换器中的开关器件损耗计算以及热路分析
8.4.1 器件损耗及热阻模型
8.4.2 基于igbt的两电平变换器损耗分析范例
8.4.3 基于igct的三电平变换器损耗分析范例
8.4.4 不同封装器件热路分析对比
参考文献
三.本套资料配套的两张光盘目录如下：
[ [0001] 一种引线框架贴带装置及其贴带方法
[0002] 发光二极管
[0003] 半导体装配方法和装置一种半导体装配方法，用压焊头把焊接引线压在焊接物件上，再进行热连接或超声连接，使焊接引线和焊接物件相连。该方法包括下列步骤，测量上次焊接工艺到下次焊接工艺的经过时间，或压焊头的温度，根据测量时间，至少改变压力、加压时间、超声振荡输出、和用于后续焊接工艺的超声振荡时间中的一个焊接条件。一种半导体装配装置包括用于测量时间或温度的测量装置，用于改变实施该方法的条件的焊接条件变化装置。
[0004] 制造芯片卡的方法及其装置
[0005] 电介质元件的制造方法
[0006] 一种半导体器件的引线框以及其制造方法
[0007] 制造半导体器件的方法
[0008] 助粘层及应用了助粘层的散热器部件和助粘层的制造方法
[0009] 用于半导体器件缺陷调查的试验片的制造方法
[0010] 处理薄晶体硅片和晶体硅太阳能电池的方法
[0011] 槽型聚焦光伏电池箱
[0012] 半导体器件及其制造方法
[0013] 能防止金属线路之间串扰的半导体器件及其制造方法
[0014] 半导体器件的生产方法
[0015] 减少在备用状态的功率耗散的半导体器件
[0016] 纳米宽度有机导线的制备方法 [0017] 电子部件用端子及其制造方法
[0018] 检测相移掩模相偏差的方法
[0019] 半导体衬底的制造方法
[0020] 无点图形多层布线结构的半导体集成电路器件及其制造方法
[0021] 半导体存储装置及其制造方法
[0022] 一种用sig/si异质结构制备硅量子线的方法
[0023] 具有倒型栅极mos晶体管的低度掺杂漏极的制造方法及其结构
[0024] 窗口夹及其使用该窗口夹排列引线框带的方法
[0025] 树脂密封型半导体器件
[0026] 互补型金氧半场效应晶体管的制造方法
[0027] 半导体器件的电极结构、形成方法及安装体和半导体器件
[0028] 改进的减小尺寸的集成芯片封装
[0029] 制造半导体器件的方法
[0030] 制作半导体台面侧向电流限制结构的技术
[0031] 万门级互补场效应晶体管集成电路的制造方法
[0032] 半导体器件
[0033] 半导体集成电路
[0034] 绝缘体上的硅(soi)衬底的制造工艺
[0035] 半导体器件及其制造方法
[0036] 制造光电器件的方法 [0037] 半导体衬底的制备
[0038] 关于表面安装的小型半导体器件
[0039] 彩色电荷耦合元件的制造方法
[0040] 半导体基片及其制造方法
[0041] 异质结双极型晶体管
[0042] 制造具有互补金属氧化物半导体结构半导体器件的方法
[0043] 清洁处理基片的方法
[0044] 栅电极形成的改进
[0045] 多层电路基片及其制造方法
[0046] 金属-氧化物-半导体场效应晶体管的栅极氧化层工艺
[0047] 芯片连接的一种改进方法
[0048] 太阳能电池组件及其制造方法
[0049] 快速存储单元及其制造方法
[0050] 集成电路中介电层的制造方法
[0051] 半导体器件及生产工艺
[0052] 金属－绝缘体－金属型非线性元件的制造方法、金属－绝缘体－金属型非线性元件...
[0053] 沟槽型双扩散型mos装置及其制造方法
[0054] 红外探测器
[0055] 具有连接部件的半导体封装
[0056] 具有低量废留树脂的半导体器件树脂密封模具组 [0057] 高温超导平面薄膜本征约瑟夫森结阵及其制备方法
[0058] 垂直扩散炉的舟
[0059] 注入氟的多晶硅缓冲局部氧化半导体器件的制造方法
[0060] 栅电极及其形成方法
[0061] 氮化硅陶瓷电路基片及使用该陶瓷基片的半导体器件
[0062] 制造半导体器件的方法
[0063] 功率半导体组件系统
[0064] 使非平面层平面化的方法
[0065] 标准片的制备方法
[0066] 非纺玻璃纤维部件的表面侧覆盖材料的太阳能电池组件
[0067] 通过横向双扩散mos对自举电容充电的电路
[0068] 制作金属线的方法
[0069] 半导体器件及其制造方法
[0070] 制备自对准硅化物结构半导体器件的方法
[0071] 电容元件的制造方法
[0072] 一种利用福勒-诺德海姆可编程可擦的低压晶体管闪速电可擦可编程只读存贮器单...
[0073] 含由导电极和托盘形导电层构成的电容电极的半导体器件
[0074] 具有增强的导热性的半导体芯片封装件
[0075] 一种半导体光发射器件及其制作方法
[0076] 用于半导体晶片干燥蚀刻的等离子体加工装置 [0077] 在基片上形成突出部的方法和装置
[0078] 沟槽型dmos晶体管及其制造方法
[0079] 监测缺陷用掩模
[0080] 晶体性半导体膜的形成方法、薄膜晶体管的制造方法、太阳电池的制造方法及其有...
[0081] 制造适于表面贴装的半导体器件的方法
[0082] 制造有擦除栅的非易失半导体存储器的方法
[0083] 形成半导体器件接触孔的方法
[0084] 半导体器件的晶体管结构
[0085] 功率半导体器件
[0086] 高热导率氮化硅电路衬底和使用它的半导体器件
[0087] 半导体集成电路中调整电路元件值的电路和方法
[0088] 具有增强耦合的薄膜压电阵列及其制造方法
[0089] 半导体器件中的晶体管及其制造方法
[0090] 用离子注入湿化学蚀刻使基底上的构图结构平面化的方法
[0091] 半导体集成电路装置及其制造方法
[0092] 用于制造半导体的炉管装置
[0093] 用于在动态随机存取存储器的存储单元中形成电容器的方法
[0094] 半导体器件的曝光掩模及其制造方法
[0095] 半导体晶片清洗装置
[0096] 球网格阵列型半导体器件 [0097] 半导体器件的制造方法
[0098] loc(芯片上的引线)封装及其制造方法
[0099] 等离子腐蚀设备和方法
[0100] 薄膜半导体器件
[0101] 导电性球搭载装置
[0102] 半导体器件的静电泄放结构
[0103] 互补型金氧半场效应晶体管的制造方法
[0104] 制造自装配微结构的方法和装置
[0105] 形成半导体器件精细图形的方法
[0106] 用于集成电路的多层互连结构及其制造方法
[0107] 胶带自动粘结式胶带及包括胶带自动粘结式胶带的半导体器件
[0108] 用于亚微米超大规模集成电路的金属间介质平面化
[0109] 一种在快速eeprom单元中形成结的方法
[0110] 超强酸催化的无显影气相光刻胶
[0111] 带光检部的面发光半导体激光器及制造法和用它的传感器
[0112] 平板显示器的单独直立隔片
[0113] 半导体器件中cd铝膜的制造方法
[0114] 半导体器件及其制造方法
[0115] 用于半导体器件的外延膜生长方法
[0116] 用于制造半导体元件的树脂封装压模 [0117] 功率半导体器件
[0118] 制造cmos晶体管的方法
[0119] 陶瓷片型半导体二极管及其制造方法
[0120] 半导体封装装置及成型物质引起的寄生电容的计算方法
[0121] 功率半导体组件
[0122] 用于将半导体器件安装到基片上的互连结构
[0123] 存贮器集成电路及其制造方法
[0124] 半导体热电材料的制造方法及设备
[0125] 用干法刻蚀在半导体衬底上形成金属布线的方法
[0126] 非易失性半导体存储器件
[0127] 具有加热装置的劈头
[0128] 带有焊接区的半导体装置及其制造方法
[0129] 复合式绝缘体上硅薄膜基片及其制作方法
[0130] 薄膜器件工艺形成凹状光致抗蚀剂剥离外形的方法及器件
[0131] 半导体器件、该器件的制造方法和所使用的引线架
[0132] 形成半导体器件金属引线的方法
[0133] 砷化镓表面微波放电钝化膜的自体生长方法
[0134] 半导体集成电路器件及其制造方法
[0135] 含有带无源元件的薄膜结构的电子元件
[0136] 半导体器件薄膜的平面化方法 [0137] 表面装式半导体装置半导体装配部件以及它们的制造方法
[0138] 一种铝合金结自对准背接触硅太阳电池的结构和制造工艺
[0139] 半导体器件及其制造方法以及上述工艺所用的引线框架
[0140] 塑料模制的具有小平直度偏差引线的集成电路组件
[0141] 半导体圆片标记
[0142] 半导体器件及其制造方法
[0143] 半导体装置及其制造方法
[0144] 旋转型半导体晶片处理装置和半导体晶片处理方法
[0145] 半导体晶片清洗装置
[0146] 半导体器件及其制造方法
[0147] 半导体器件及其制造方法
[0148] 制造半导体器件的方法
[0149] 用于单个晶片工具的晶片温度就地控制装置
[0150] 手动插拔机
[0151] 氮化物半导体器件
[0152] 红外传感器、制造传感器用的托座和制造红外传感器的方法
[0153] 用栅电极易处置隔层形成单边缓变沟道半导体器件的方法
[0154] 具有波纹形电极的叠层电容器
[0155] 杂质的导入方法及其装置和半导体器件的制造方法
[0156] 在半导体器件中制作阻挡扩散金属层的方法 [0157] 半导体器件的制造方法和半导体器件
[0158] 动态随机存取存储器件中的mos场效应晶体管及其制造方法
[0159] 外形可控多芯片组件
[0160] 硅结构体及其制造方法和装置及使用硅结构体的太阳电池
[0161] 等离子处理方法及设备
[0162] 盘型聚焦光伏电池箱
[0163] 形成半导体器件接触孔的方法
[0164] 半导体器件功率老化设备中控制器件温度恒定的方法
[0165] 用改进的小型区抑制何短沟道的mos晶体管及其制造方法
[0166] 具有优良面积利用率的电容元件的半导体器件
[0167] 具有降低应力成模衬底部分的挠性层的高密度互连电路模件
[0168] 半导体器件及其制造方法
[0169] 关于分析半导体器件失效的剥层处理方法
[0170] 半导体器件及其制造方法
[0171] 光接收元件
[0172] 高压金属氧化物硅场效应晶体管(mosfe)结构及其制造方法
[0173] 温度发电装置的制造方法
[0174] 静电式夹盘
[0175] 半导体压力传感器及其制造方法
[0176] 函数发生电路 [0177] 从离子束中和装置和注入装置就地清除污染物用的方法和装置
[0178] 半导体器件及其制造方法
[0179] 半导体器件的制造方法
[0180] 不残留氢的非单晶薄膜晶体管的半导体器件的制造方法
[0181] 制造抗辐射半导体集成电路的方法
[0182] 用于改善静电击穿电压的半导体器件的输入保护电路
[0183] 半导体装置及其制造方法
[0184] 光电元件、它的电极结构及其制造方法
[0185] 内联式超薄弱光型非晶硅光电池生产线
[0186] 半导体芯片封装件的制造方法
[0187] 半导体器件的制造方法
[0188] 半导体器件中的晶体管及其制造方法
[0189] 半导体器件及其制作工艺
[0190] 制造半导体器件的电容器的方法
[0191] 声驻波(saw)器件及其制造方法
[0192] 半导体装置
[0193] 利用连接材料的凸粒的相互连接系统
[0194] 在集成电路上形成导电路径的导体和方法
[0195] 制造半导体器件的方法和半导体器件的制造设备
[0196] 注入磷形成补偿的器件沟道区的半导体器件的制造方法 [0197] 半导体封装和固定方法
[0198] 半导体器件的三维缺陷分析方法
[0199] 带管脚的大功率半导体组件
[0200] 半导体器件及其制造方法
[0201] 陶瓷电路基板
[0202] 形成电子元件电极的设备和方法
[0203] 具有热沉的平板型和柱型半导体封装
[0204] 一种在半导体器件中形成精细接触孔的方法
[0205] 按芯片尺寸封装型半导体器件的制造方法
[0206] 绝缘体上硅薄膜晶体管
[0207] 芯片焊接装置
[0208] 一种带有透明窗口的半导体封装及其制造方法
[0209] 电介质电容器及其制造方法
[0210] 零件在基体上的焊接方法及其装置
[0211] 光电池及其制造方法
[0212] 有稳定双极晶体管和****基二极管的半导体器件制造方法
[0213] 多晶硅表面金属杂质的清除
[0214] 砷化镓及其器件表面钝化保护膜的制备方法
[0215] 用化学机械抛光的平整步骤制造半导体器件的方法
[0216] 制造半导体器件的晶体管的方法 [0217] 绝缘栅双极晶体管
[0218] 具有树脂封壳的元件及其制作方法
[0219] 半导体衬底及其制造方法
《电力半导体器件原理与应用》由袁立强、赵争鸣、宋高升、王正元编著，力求从电力半导体器件应用的角度来诠释和分析其基本原理和应用特性。全书共分为8章，第1章主要阐述电力半导体器件的基本功能和用途；第2章介绍半导体器件物理基础，包括半导体与导体、绝缘体，原子中的电子能级，晶体中的能带等；第3章阐述双极型电力半导体器件基本原理，包括单pn结器件及多pn结特性；第4章介绍单极型及混合型器件电力半导体器件基本原理，涉及结型场效应器件、静电感应器件、功率mosfet器件、混合型器件igbt和混合型器件igct等；第5章叙述电力半导体器件的特性和参数，包括双稳态和双瞬态的基本工作状态，通态特性、阻态特性、开通过程、关断过程、触发特性以及系统安全工作区等；第6章重点分析了电力半导体器件应用特性，包括电力半导体器件的串、并联使用、电力半导体器件可靠性和失效分析以及电力半导体器件的保护等；第7章进一步分析了变换器中电力半导体器件应用特性，着重考虑电力半导体器件与变换器中其他因素之间的关系；第8章介绍适用于变换器仿真的电力半导体器件建模，以为变换器主回路优化设计所用。
《电力半导体器件原理与应用》可作为电机系统及其控制、电力电子与电力传动等学科研究生专业课程的参考书，也可供从事电力电子技术应用的科技人员和有关科技管理人员参考。
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